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科學家開發出三維垂直場效應晶體管將催生更小、更環保的數據存儲器
來源:科技日報
據悉，在存儲器的尺寸、容量和可負擔性方面，消費類閃存驅動器已取得巨大進步，但新的機器學習和大數據應用程序正繼續推動對創新的需求。此外，支持云的移動設備和未來的物聯網節點也需要節能且體積更小的內存。而當前的閃存技術卻需要相對較大的電流來讀取或寫入數據。
鑒于此，東京大學工業科學研究所科學家開發了一種基于鐵電和反鐵電場效應晶體管（FET）的概念驗證3D堆疊存儲單元，該晶體管具有原子層沉積的氧化物半導體通道。FET可以非易失性方式存儲1和0，這意味著它不需要一直供電；垂直設備結構則增加了信息密度并降低了操作能源需求。
研究證實，該器件在至少1000個周期內都可保持穩定，研究人員還使用第一原理計算機模擬繪制了最穩定的表面狀態。研究人員稱，新方法或將極大地改善非易失性存儲器，同時有助于實現下一代消費電子產品。
