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高適配逆變器MOS:CMH25N50

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高適配逆變器MOS:CMH25N50

>>CMH25N50詳情頁面

CMH25N50是使用Cmos先進的高壓MOSFET工藝制造,旨在提供優良的RDS(ON),非常適合于高效的切換模式電源和主動功率因數校正??捎糜赟MPS開關電源、UPS電源,非常適用于逆變器電源,有優秀的散熱能力,很好的性價比。



卓越的電氣特性

CMH25N50的主要電氣特性包括: 

耐壓與電流能力:CMH25N50的耐壓(BVDSS)為500V,在25℃條件下,其最大連續漏極電流(ID)可達25A。



抗沖擊能力強:CMH25N50采用Cmos先進高壓MOSFET工藝制造,單次雪崩能量為850mJ,使其有很強的抗沖擊能力,能承受在雪崩和換向模式下的高能量脈沖。

散熱好:CMH25N50采用TO-247封裝,具有良好的熱管理性能,其結到殼的熱阻(RθJC)為0.43℃/W,有很好的散熱能力,能有效地將熱量散發出去。



導通損耗小:在柵極電壓(VGS)為10V時,CMH25N50的導通電阻(RDS(on))最大為0.18Ω。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗,提高了電路的能效,使得在逆變器等電路使用中效率更高。



開關損耗?。?/span>較小的QG、結電容,使其具有優越的開關性能,較小的開關損耗。



適用范圍廣泛

CMH25N50 MOS管由于其優異的特性,適用于多種應用場景,特別是在逆變器電路中。MOS管的高EAS、低熱阻、低導通電阻直接影響抗沖擊能力、可靠性、能效,低QG、低結電容,有較好的開關特性及低開關損耗。CMH25N50表現出色,能夠很好地滿足電路需求。


CMH25N50 MOS管采用的TO-247封裝,提供了良好的散熱途徑,其耐壓和電流能力使其能夠在各種高應力環境下穩定工作。通過優化半導體材料和制造工藝,Cmos成功地將這些特性集成到CMH25N50中,使其在逆變器等電路應用中表現出色。


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