寬應(yīng)用優(yōu)秀MOS：CMD060N10
寬應(yīng)用優(yōu)秀MOS：CMD060N10
CMD060N10是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的SGT工藝技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供優(yōu)秀的RDS(ON)、Qg、CISS，非常適合用于DC-DC電源、電源切換應(yīng)用，開(kāi)關(guān)控制，電機(jī)控制、LED控制等多種應(yīng)用。
卓越的電氣特性
CMD060N10的主要電氣特性包括：
耐壓：CMD060N10的耐壓（BVDSS）為100V。
電流：在Tc=25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）是80A。
雪崩能量：CMD060N10采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，單次雪崩能量EAS為612mJ。
低熱阻：CMD060N10采用TO-252封裝，具有優(yōu)秀的熱管理性能，其結(jié)到殼的熱阻（RθJC）為1.5℃/W。
低導(dǎo)通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時(shí)，CMD060N10的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）最大只有7mΩ。低導(dǎo)通電阻降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗，能提高整體電路的能效。
低開(kāi)關(guān)損耗：低QG、結(jié)電容，使其具有優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，和低開(kāi)關(guān)損耗。
適用范圍廣泛
CMD060N10優(yōu)秀的性能，使其可以非常好的應(yīng)用于多種電路，包括不限于DC-DC電源、電源切換應(yīng)用，開(kāi)關(guān)控制，電機(jī)控制、LED控制等多種應(yīng)用。
通過(guò)優(yōu)化半導(dǎo)體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優(yōu)秀特性集成到CMD060N10中，使其在電路應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
