Cmos優(yōu)勢(shì)物料推選八：CMD130N85A
Cmos優(yōu)勢(shì)物料推選八：CMD130N85A
CMD130N85A是Cmos通過不斷優(yōu)化柵極氧化層并多極分割柵極溝槽得到的后優(yōu)化溝槽工藝制造而成，典型的特點(diǎn)是，具有更優(yōu)秀的開關(guān)響應(yīng)時(shí)效性，極低的RDSON,低FOM和更優(yōu)秀的單元一致性。無(wú)論是MOS管自身的轉(zhuǎn)換效率還是能耗都得到優(yōu)化，成為Cmos綠色發(fā)展的又一重要產(chǎn)品。
封裝形式
核心優(yōu)勢(shì)
CMD130N85A是一款擊穿電壓BVDSS=85V，采用柵極被分割改進(jìn)型溝槽工藝制造的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在環(huán)境溫度為25℃條件下，流過MOS管的漏源電流可達(dá)到120A，具有卓越的功率輸送能力。提供TO-252、TO-251兩種封裝，封裝如圖所示。這兩種封裝兼具優(yōu)秀的散熱設(shè)計(jì),保障了其在大電流高功率飽和導(dǎo)通工作條件下的熱管理能力。卓越的功率傳遞能力和優(yōu)秀的散熱設(shè)計(jì)使其在無(wú)刷電機(jī)，電源DC輸出模塊，太陽(yáng)能蓄電池充放電保護(hù)控制器中被廣泛應(yīng)用，性能可靠穩(wěn)定。
低優(yōu)值系數(shù)：降低能耗，提升傳遞效率
優(yōu)值系數(shù)FOM=QG×RDSON 可以定性表達(dá)MOS管的轉(zhuǎn)化效率。由表達(dá)式右端的QG和RDSON兩項(xiàng)參數(shù)可得，F(xiàn)OM是可以反映MOS管自身功率損耗與開關(guān)效率的。作為高頻次開關(guān)，自身電能損耗和開關(guān)響應(yīng)速度是其性能的關(guān)鍵特征。尤其是電池供電電路，低功耗的元器件則更有實(shí)際意義。CMD130N85A飽和導(dǎo)通內(nèi)阻RDSON僅為4.3MΩ,低阻值，無(wú)論是靜態(tài)待機(jī)狀態(tài)還是動(dòng)態(tài)工作過程均有效降低了電路中電能損耗和提高了電能的轉(zhuǎn)換效率。
Cmos半導(dǎo)體是優(yōu)質(zhì)的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)，生產(chǎn)工藝齊全、設(shè)備先進(jìn)，擁有豐富的MOSFET和其他半導(dǎo)體產(chǎn)品。產(chǎn)品分布廣泛，具有出色的性能和超高的經(jīng)濟(jì)性。
Cmos產(chǎn)品有：MOS場(chǎng)效應(yīng)管，晶閘管，IGBT，三端穩(wěn)壓芯片，三極管，二極管等。
Cmos產(chǎn)品應(yīng)用
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