高魯棒性的理想選擇CMP107N20
隨著集成電路和互聯網的快速發展，低功耗、高性能已經逐漸成為3C消費類電子以及3C小家電主要追求的能效目標。CMP107N20是采用Cmos自己優化的成熟制造工藝生產的一款場效應晶體管。特點是具有卓越FOM優值系數，極低的飽和導通內阻RDSon，超高的開關頻率使得CMP107N20在電機控制，電池管理，UPS不間斷電源供應，逆變轉換器等領域具有更大的市場價值。
封裝形式
基本信息
CMP107N20是采用Cmos柵極多級分割優化溝槽工藝研發的N溝道金屬氧化物半導體場效應管，設計理念追求高能效、綠色和可持續發展。
綠色設計理念
CMP107N20是一款N溝道場效應晶體管，擊穿電壓BVDSS=200V，采用Cmos自己研發的優化溝槽工藝制造。常溫條件下，源漏持續電流可達105A，具有卓越的能效比。CMP107N20提供了TO-220、TO-263、TO-262、TO-220F四種常規封裝，具有卓越的散熱能力,保障了在高功率輸出下的熱管理平衡能力。CMP107N20具有卓越的優值系數FOM=QG×RDSON ，FOM綜合反映了場效應晶體管的轉換效率。高效的轉換效率，不僅提高了CMP107N20自身的應用領域，而且符合綠色可持續發展的需要,還為其拓展了廣泛的應用鄰域。
降本增效
Product Data Sheet
場效應管以其超高頻次（frequence可達兆赫茲以上）的開關速度和極低的能耗，通信，工業控制，3C產品，電動車和智能Ai泛領域得到大量應用。能量損耗和開關響應速度是保證其能效比的關鍵要素。CMP107N20在常溫環境下，飽和導通內阻10毫歐，極低的飽和導通阻值，使其轉換效率明顯提高。在多串MBS，UPS，無人機中具有很高的應用價值。
場效應半導體是國產優質半導體企業，具有豐富的晶體管開發經驗，擁有核心的產品研發能力,相關專利申請達四十余項；具有完備的半導體后道工藝生產設備，目前已經擁有包括二極管，三極管，IGBT 晶閘管在內的產品超過1500余個型號。開發產品面向鄰域廣泛，使用性能安全穩定，有較強的品牌影響力和市場份額。
Cmos晶體管產品有：MOS場效應管，晶閘管，IGBT功率模塊，78系列穩壓芯片，各種三極管和二極管等。
Cmos產品應用領域如下表所示：
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