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優秀MOS：CMH50N20

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CMH50N20是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的平面條紋DMOS技術和設計，提供優秀的RDS（ON），抗沖擊能力強，廣泛應用于逆變器電源和SMPS電源、UPS電源、電機驅動等電路中。憑借其卓越的電氣特性和高可靠性，是市場非常認可、優秀的MOS元件。

CMH50N20的主要電氣特性包括： 

耐壓能力：CMH50N20的耐壓（BVDSS）為200V。

電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續漏極電流（ID）是50A。

雪崩能量：CMH50N20采用（Cmos）先進平面條紋DMOS技術工藝，100%雪崩測試，單次雪崩能量EAS為1500mJ，有很強的抗沖擊能力。

低熱阻：CMH50N20采用TO-247封裝，具有優秀的熱管理性能，其結到殼的熱阻（RθJC）為0.45℃/W。

低導通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMH50N20的導通電阻（RDS(on)）最大只有48mΩ。低導通電阻能降低導通狀態下的損耗，能提高整體電路的能效。

低開關損耗：低QG、結電容，使其具有優越的開關性能和低開關損耗。

CMH50N20優秀的性能，使其可以非常好的應用于多種電路，包括不限于逆變器電源和SMPS電源、UPS電源、電機驅動等多種應用。

通過優化半導體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優秀特性集成到CMH50N20中，使其在電路應用中表現出色。