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高效能電力電子系統的理想之選

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高效能電力電子系統的理想之選

>>CMP200N25詳情頁面

作為廣東場效應半導體(Cmos)車規級功率MOSFET的明星產品,CMP200N25憑借其卓越的電氣性能和可靠性,成為中高壓、大電流場景下的核心器件。以下是為您精心整理的應用場景與技術優勢解析,助您輕松實現高效、穩定的系統設計。 

CMP200N25核心優勢速覽。


一、封裝形式

下圖是CMP200N25封裝形式和內部拓撲結構圖,提供了TO-220、TO-263、TO-262、TO-220F四種封裝形式,并且可提供定制化封裝,拓展了元件適配性的同時,極大地方便了用戶的選用。



二、基礎參數



1.漏源電壓(VDS):250V

2.連續漏極電流(ID@Tc=25℃):90A(需結合散熱條件) 

3.導通電阻RDS(on):19mΩ(max) 

4.柵源閾值電壓VGS(th):4.0V(最大值)


三、核心優勢

CMP200N25具有以下方面的核心優勢。

1.高耐壓與強電流能力:250V漏源電壓(VDS)與90A連續電流(ID),輕松應對嚴苛負載需求。 

2.低導通損耗:導通電阻(RDS(on))僅19mΩ(@VGS=10V),大幅降低傳導損耗,提升系統效率。 

3.快速動態響應:優化的柵極電荷(Qg)和低反向恢復時間,支持高頻開關(頻率可高達幾百kHz),減少開關損耗。 

4.高功率密度設計:TO-220、TO-263、TO-262封裝提供優異散熱能力,支持高功率密度設計。 


四、應用推薦

CMP200N25 MOSFET推薦以下應用領域

1.工業級開關電源(SMPS) 

適用場景:服務器電源、通信基站電源、工業AC-DC轉換器。 

優勢體現:低RDS(on)顯著降低導通損耗,搭配高頻開關能力,助力電源實現80Plus能效。 

高耐壓設計可應對輸入電壓波動,提升系統可靠性。 

2.電機驅動與變頻控制 

適用場景:工業伺服驅動器、電動工具、電動汽車輔助系統。 

優勢體現:90A高電流承載能力,支持360A瞬態峰值電流需求,保障電機啟停穩定性。 

優化的體二極管特性減少了死區時間能量損耗,提高了輸出輸入的能效比。 

3.新能源與儲能系統

適用場景:光伏逆變器(DC-AC)、儲能變流器、充電樁模塊。 

優勢體現:250V耐壓適配48V至200V母線電壓系統,滿足太陽能板或電池組的高壓需求。 

低熱阻封裝設計(RθJC=0.42°C/W),搭配散熱器可長期穩定運行。 

4.大功率DC-DC轉換器 

適用場景:電動汽車車載充電機、燃料電池升壓電路。 

優勢體現:高頻開關特性支持LLC諧振拓撲或同步整流設計,提升功率密度。 

低柵極電荷(Qg=72nC)降低驅動功耗,簡化驅動電路設計。 


五、設計建議:釋放器件潛力

散熱優化:建議搭配高導熱絕緣墊片與強制風冷散熱器,確保結溫(TJ)低于125°C。 

驅動要求:縮短驅動回路路徑,降低寄生電感(Ls),避免開關振蕩;推薦驅動電壓VGS=10-15V,確保快速開通/關斷,以充分發揮低RDS(on)特性。

并聯應用:在多管并聯場景下,需確保柵極電阻與布線對稱性,避免電流不均

散熱策略:搭配高性能散熱器或PCB銅箔散熱設計,充分利用封裝熱特性。 

 

結語

CMP200N25 MOSFET以其“高能效、高功率密度、高可靠性”的三重優勢,成為工業電源、新能源汽車及消費類電子鄰域的理想選擇。無論是追求極致效率的電源系統,還是需要穩定輸出的動力控制場景,它都能為您的設計注入強勁動力。 

立即選用CMP200N25,解鎖下一代電力電子的高效潛能! 

 

注:具體參數請以Cmos官方數據手冊為準,設計前建議進行熱仿真與動態特性測試。

型號速查:CMP200N25

關鍵參數:VDS=250V, ID=90A, RDS(on)=19mΩ @10V

聯系我們:WWW.www.ihvc.cn


 讓效率與可靠性,成為您產品的核心競爭力!


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