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可靠MOS：CMH50N30
CMH50N30是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的平面條紋DMOS技術和設計，提供優秀的RDS（ON），抗沖擊能力強，廣泛應用于逆變器電源和SMPS電源、UPS電源、電機驅動等電路中。憑借其卓越的電氣特性和高可靠性，是市場非常認可、優秀的MOS元件。
卓越的電氣特性
CMH50N30的主要電氣特性包括：
耐壓能力：CMH50N30的耐壓（BVDSS）為300V。
電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續漏極電流（ID）是50A。
雪崩能量：CMH50N30采用（Cmos）先進平面條紋DMOS技術工藝，100%雪崩測試，單次雪崩能量EAS為3150mJ，有很強的抗沖擊能力。
低熱阻：CMH50N30采用TO-247封裝，具有優秀的熱管理性能，其結到殼的熱阻（RθJC）為0.63℃/W。
低導通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMH50N30的導通電阻（RDS(on)）最大只有55mΩ。低導通電阻能降低導通狀態下的損耗，能提高整體電路的能效。
低開關損耗：低QG、結電容，使其具有優越的開關性能和低開關損耗。
適用范圍廣泛
CMH50N30優秀可靠的性能，使其可以非常好的應用于多種電路，包括不限于逆變器電源和SMPS電源、UPS電源、電機驅動等多種應用。
通過優化半導體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優秀特性集成到CMH50N30中，使其在電路應用中表現出色。
