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高新技術企業(yè)
傳俄羅斯2028年量產7nm光刻設備
來源:Tomshardware
據外媒Tomshardware報導，一家俄羅斯研究單位正在研究開發(fā)自己的半導體微影光刻設備，預計該設備可以被用于7納米制程芯片的生產上。整個計劃預計在2028年完成，而且一旦完成之后，其設備可能會比ASML的TwinscanNXT:2000i效能更高。值得一提的是，ASML開發(fā)TwinscanNXT:2000i的時間超過了10年。
報導表示，俄羅斯政府推出了一項國家計劃，到2030年開發(fā)出自己的28納米制程技術，并盡可能利用外國芯片進行逆向工程取得技術，同時也要培養(yǎng)本土人才從事國產芯片的生產工作。
根據俄羅斯所發(fā)表的計劃，俄羅斯科學院下屬的俄羅斯應用物理研究所（RussianInstituteofAppliedPhysics，IAP）預期，到2028年研發(fā)且量產出具有7納米制造能力的微影光刻設備。
報導指出，俄羅斯即將開發(fā)量產的設備，將與ASML或NIKON等公司生產的微影光光設備有所不同。例如，IAP計劃使用大于600W的光源，曝光波長為11.3nm（EUV波長為13.5納米），這將需要比現(xiàn)在更復雜的光學元件。由于該設備的光源功率相對較低，這將使該工具體積更緊湊，因此更容易制造。然而，這也意味著其微影光刻設備的芯片產量將大大低于現(xiàn)代深紫外（DUV）微影光刻設備。但IAP表示，這將不會是問題。
就現(xiàn)階段來說，32納米以下的制程技術，制造商目前主流采用的是所謂的沉浸式微影光刻設備。ASML于2003年底推出了其第一款沉浸式微影光刻設備-TwinscanXT:1250i，并在2004年第三季交貨一臺設備，用以生產65納米邏輯芯片和70納米等級的DRAM。之后，該公司花了大約5年時間，于2008年底宣布推出之支援32納米的TwinscanNXT:1950i，沉浸式微影光刻設備，并于2009年開始向客戶交貨。
以上說明，代表當前的技術領先者ASML大約花了9年的時間，才在2018年交貨其支援7納米和5納米制程的TwinscanNXT:2000iDUV微影光刻設備。再從ASML的產品發(fā)展歷程來看，從65納米制程發(fā)展到7納米制程，總計用了14年的時間。
現(xiàn)在，在芯片生產方面沒有任何經驗或與芯片制造商沒有任何聯(lián)系的俄羅斯IAP，打算在大約6年的時間里從頭開始制造一套支援7納米制程的微影光刻設備，并進一步進行量產，雖然這個計劃聽起來實在不太可行，但看起來IAP卻是充滿了熱情。
根據發(fā)展時程，IAP計劃在2024年之前建造一個功能齊全的首代微影光刻設備。這個微影光刻設備不必提供高生產率，或最大解析度，但必須能運作，使其對潛在投資者有吸引力。之后，IAP打算在2026年之前制造出具有更高生產力和解析度的微影光刻設備的測試版。這時這套機器應該要可以量產晶圓，但預計其生產力不會達到最大。至于，俄羅斯規(guī)劃的微影光刻設備終極版本將在2028年問世，其不但要能獲得高性能光源，并且具有更好的計算量測和整體能力。不過，目前尚沒有公布IAP與其生產合作伙伴將要生產多少套此類設備。
傳俄羅斯2028年量產7nm光刻設備
傳俄羅斯2028年量產7nm光刻設備
來源:Tomshardware
據外媒Tomshardware報導，一家俄羅斯研究單位正在研究開發(fā)自己的半導體微影光刻設備，預計該設備可以被用于7納米制程芯片的生產上。整個計劃預計在2028年完成，而且一旦完成之后，其設備可能會比ASML的TwinscanNXT:2000i效能更高。值得一提的是，ASML開發(fā)TwinscanNXT:2000i的時間超過了10年。
報導表示，俄羅斯政府推出了一項國家計劃，到2030年開發(fā)出自己的28納米制程技術，并盡可能利用外國芯片進行逆向工程取得技術，同時也要培養(yǎng)本土人才從事國產芯片的生產工作。
根據俄羅斯所發(fā)表的計劃，俄羅斯科學院下屬的俄羅斯應用物理研究所（RussianInstituteofAppliedPhysics，IAP）預期，到2028年研發(fā)且量產出具有7納米制造能力的微影光刻設備。
報導指出，俄羅斯即將開發(fā)量產的設備，將與ASML或NIKON等公司生產的微影光光設備有所不同。例如，IAP計劃使用大于600W的光源，曝光波長為11.3nm（EUV波長為13.5納米），這將需要比現(xiàn)在更復雜的光學元件。由于該設備的光源功率相對較低，這將使該工具體積更緊湊，因此更容易制造。然而，這也意味著其微影光刻設備的芯片產量將大大低于現(xiàn)代深紫外（DUV）微影光刻設備。但IAP表示，這將不會是問題。
就現(xiàn)階段來說，32納米以下的制程技術，制造商目前主流采用的是所謂的沉浸式微影光刻設備。ASML于2003年底推出了其第一款沉浸式微影光刻設備-TwinscanXT:1250i，并在2004年第三季交貨一臺設備，用以生產65納米邏輯芯片和70納米等級的DRAM。之后，該公司花了大約5年時間，于2008年底宣布推出之支援32納米的TwinscanNXT:1950i，沉浸式微影光刻設備，并于2009年開始向客戶交貨。
以上說明，代表當前的技術領先者ASML大約花了9年的時間，才在2018年交貨其支援7納米和5納米制程的TwinscanNXT:2000iDUV微影光刻設備。再從ASML的產品發(fā)展歷程來看，從65納米制程發(fā)展到7納米制程，總計用了14年的時間。
現(xiàn)在，在芯片生產方面沒有任何經驗或與芯片制造商沒有任何聯(lián)系的俄羅斯IAP，打算在大約6年的時間里從頭開始制造一套支援7納米制程的微影光刻設備，并進一步進行量產，雖然這個計劃聽起來實在不太可行，但看起來IAP卻是充滿了熱情。
根據發(fā)展時程，IAP計劃在2024年之前建造一個功能齊全的首代微影光刻設備。這個微影光刻設備不必提供高生產率，或最大解析度，但必須能運作，使其對潛在投資者有吸引力。之后，IAP打算在2026年之前制造出具有更高生產力和解析度的微影光刻設備的測試版。這時這套機器應該要可以量產晶圓，但預計其生產力不會達到最大。至于，俄羅斯規(guī)劃的微影光刻設備終極版本將在2028年問世，其不但要能獲得高性能光源，并且具有更好的計算量測和整體能力。不過，目前尚沒有公布IAP與其生產合作伙伴將要生產多少套此類設備。
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