CMH75N65EH5—650V/75A IGBT是場效應半導體采用新的溝槽設計理念
CMSA085DN06AU是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT技術，具有非常出色的RDS（ON）。
CMSL107N20是一款N型場效應功率管，采用Cmos先進的柵裂工藝研發，優秀的高頻特性、低導通內阻以及理想的散熱性使其具有非常廣泛的應用場景
CMP034N06是一款高性能的N溝道功率場效應管（MOSFET），采用先進的SGT工藝制成，具有優秀的電特性，適用于車載電子、電動工具、LED照明、不間斷電源等大功率、高效率的開關場景。
CMP130N85A是采用Cmos成熟的柵極多層分割槽工藝制造的一款金屬氧化物功率半導體分離器件。
