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CMF80R450P功率MOSFET，是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)非常低的內(nèi)阻RDS(on)和柵極電荷QG。

CMF90R450Q功率MOSFET，是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（CMOS）先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)非常低的電阻和柵極電荷。

CMH65R115P功率MOSFET，使用Cmos先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)非常低的電阻和門電荷。采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)，可以提供高效率。具有超結(jié)MOS的各種優(yōu)點(diǎn)，可以很容易快速地應(yīng)用到新的和現(xiàn)有的電源設(shè)計(jì)中。

CMF65R105使用Cmos先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)非常低的電阻和門電荷。采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)可以提供高的效率。

CMD65R290功率MOSFET，使用Cmos先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)非常低的電阻和門電荷。采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)，可以提供高效率。