CMH50N30是采用廣東場效應(yīng)半導體有限公司（Cmos）先進的平面條紋DMOS技術(shù)和設(shè)計，提供優(yōu)秀的RDS（ON），抗沖擊能力強，廣泛應(yīng)用于逆變器電源和SMPS電源、UPS電源、電機驅(qū)動等電路中。
選擇場效應(yīng)半導體CMF65R080SDMOSFET，您將獲得提升系統(tǒng)效率、縮小產(chǎn)品體積、增強可靠性的關(guān)鍵利器。
CMF65R190SD是一款采用Cmos先進超結(jié)技術(shù)的功率MOSFET。它不僅具備快速開關(guān)的超結(jié)MOSFET的所有優(yōu)點，還提供了一個快恢復的體二極管。
CMSA010N04AU是場效應(yīng)半導體（Cmos）一款高性能N溝道MOSFET，專為低壓、大電流應(yīng)用場景優(yōu)化。
CMH80P10 MOSFET是場效應(yīng)半導體（Cmos）開發(fā)的一款P溝道金屬氧化物半導體元器件，其卓越的電氣性能和可靠性，成為中低壓、大電流場景下的核心器件。
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