專為高可靠性、高功率密度設(shè)計而生的新一代功率器件
CMSA085DN06AU是采用廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司(Cmos)先進的SGT技術(shù),具有非常出色的RDS(ON)。
CMSL107N20是一款N型場效應(yīng)功率管,采用Cmos先進的柵裂工藝研發(fā),優(yōu)秀的高頻特性、低導(dǎo)通內(nèi)阻以及理想的散熱性使其具有非常廣泛的應(yīng)用場景
CMF85R290R是采用Cmos先進超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET,實現(xiàn)非常低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,通過使用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù),提供更高的效率。
CMH12N90功率MOSFET,采用Cmos的專有平面條形DMOS技術(shù),改進了dv/dt能力,非常適合用于高效開關(guān)電源。