CMH50N30是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的平面條紋DMOS技術和設計，提供優秀的RDS（ON），抗沖擊能力強，廣泛應用于逆變器電源和SMPS電源、UPS電源、電機驅動等電路中。
CMB180N04-7是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的工藝和技術，是專為高電流開關應用而設計的N通道MOS場效應晶體管。
選擇場效應半導體CMF65R080SDMOSFET，您將獲得提升系統效率、縮小產品體積、增強可靠性的關鍵利器。
CMH75N65EH5—650V/75A IGBT是場效應半導體采用新的溝槽設計理念
CMF65R190SD是一款采用Cmos先進超結技術的功率MOSFET。它不僅具備快速開關的超結MOSFET的所有優點，還提供了一個快恢復的體二極管。
