CMP107N20是采用Cmos柵極多級分割優(yōu)化溝槽工藝研發(fā)的N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，設(shè)計(jì)理念追求高能效、綠色和可持續(xù)發(fā)展。
CMD031N03L是采用Cmos自己優(yōu)化的柵極被分割改進(jìn)型溝槽工藝制造的一款金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
CMD170P03A是Cmos通過控制載流子溝道物理尺寸（ChannelWidth/Channel Length），并采用溝槽工藝制造而成的一款金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
CMD065N04 Cmos為電源DC-DC模塊開發(fā)的一款物料，得益于Cmos對于半導(dǎo)體先進(jìn)制造工藝的研究和創(chuàng)新，這款物料具有多項(xiàng)優(yōu)秀的參數(shù)，整體性能卓越。
CMD130N85A是Cmos通過不斷優(yōu)化柵極氧化層并多極分割柵極溝槽得到的后優(yōu)化溝槽工藝制造而成，典型的特點(diǎn)是，具有更優(yōu)秀的開關(guān)響應(yīng)時(shí)效性，極低的RDSON,低FOM和更優(yōu)秀的單元一致性。
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